안녕하세요! 매일 눈팅만 하던 징어입니다!
궁금한 내용이 있어서 질문드립니다.
다른 책들을 뒤져봐도 안나와있더라구요..
지식 나눔을 부탁드립니다. ㅠ
위의 그림이 n+ poly si로 이루어진 Metal에 Oxide 하고 P-type si 인 상태인데
Oxide에서 높아진 부분하고 P-type Si 밴드갭이 기울어져 올라간 높이하고 동일하게 보아야 하는것인가요? 아니면 따로따로 각자의 전위차가 존재하는 것인가요?
그리고 Vfb(flat band voltage)라는게 원래 밴드갭을 평탄하게 만들어주고 Oxide에 인가된 전위차를 모두 빼주는 상태라고 이해하고 있는데
그러면 Vfb를 Gate단자에 인가하면 Oxide - (P-Si) 사이 계면에 depletion charge 는 없다고 가정이 되는건데 그러면 아래의 그림처럼
Oxide 부분과 P-Si 밴드갭 부분이 모두 평탄하게 나오는게 맞는것인가요?
다른책에서는 Vfb를 인가해도 Oxide 부분이 기울어진상태가 남아있고 그에대한 설명은 전무하더라구요
어떤책은 아예 Oxide그림을 제대로 표기안해버리기도 하고..
(Qss : 공정할때 생기는 Oxide내에 P-Si 계면쪽에 고정되어 있는 내부 전하 , Cox:Oxide 커패시턴스)
Oxide의 기울어짐은 독립적인건지 아니면 P-Si부분의 움직임을 그대로 따라가는 것인지 궁금합니다..
또, Vfb에서 -(Qss/Cox)이게 Oxide의 전위차를 아예 없애버리는 역할을 하는것인지도 궁금합니다.. (Cfb구할때는 또 Qss에의해서 다른 커패시터가 유도되던데 앞뒤가 말이안맞는것 같아서 더욱 헷갈려졌습니다)
횡설수설 길게 쓴것 같네요 죄송해요..
혹시 전공자님 있으시면 도움을 요청해봅니다..
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