MOS에 대해 공부하다가 Vt조절 방법에 대한 설명이 있는데 여러 방법중에

boron ion implantation 방법으로 Qd 즉 oxide 바로 밑의

depletion region의 charge를 변화시키는 방법이 있었습니다.

'boron은 acceptor이기때문에 negatively charged이므로~' 이렇게 시작해서 

Vt조절 방법이 교재에 설명되어 있습니다 


그런데 ion implantation 방법은 원자를 양이온으로 만든다음에 가속시켜서 도핑하는걸로 아는데

B+ 가 주입되는꼴인데 accepter라는 이유만으로 Qd가 음의 방향으로 증가하는지 모르겠습니다


제 생각에는 전하량부터가 보존되지 않는걸로 보이는데요


제가 무얼 잘못이해하고 있는지 가르침 부탁드립니다...