1. 안정한 실리센의 격자를 시뮬레이션을 통해 측정하고 실제 값과 비교한다.

Parameter computation of stable silicene were perfomed by EDISON simulation, and was comared with real.

 

2. 격자를 변화시켜 strain-induce를 가정하고, 이에따른 실리센의 물리적변화를 측정한다

on the supposition that parameter was changed by strain-induced, the physical change of silicene was measured.

 

3. 응력에 의한 자가도핑된 실리센의 안정한 구조와 밴드 구조 도출

draw the stable structure and the band structure by strain-induce self-doping of sililcene.

 

4. 원자의 오비탈의 DOS와 PDOS를 계산한다. -> 오비탈 스테이트의 변화를 관찰하고 원인을 고찰한다.

calculate DOS and PDOS of atom obital ->  observe the change of obital state and consider the cause.

 

5. strain-induced 된 구간에서 구조가 무너지는 격자와 실제 증착가능한 재료 고찰