실리콘에 3족 원소를 집어넣으면 에너지 갭이 좁아지는 이유

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게시물ID : science_63426짧은주소 복사하기
작성자 : IIIIIIlllll★
추천 : 0
조회수 : 568회
댓글수 : 21개
등록시간 : 2017/04/24 23:29:24

실리콘에 3족 원소를 도핑하면

홀(h+)이 많이 생겨서 가역대의 전자(n-)들이 전도대로 가는 걸

붙잡아서 가기 힘들어서 에너지 갭이 커질거 같은데

오히려 에너지갭이 줄어들다니.. 개념이 잘 못 된 걸까요...

그 사이에 있는 페르미 레벨은 올라가버리는 게 이해가 안되네요

뭐 수식적으로 쓰면 페르미 레벨이 올라가는데

그 페르미 레벨이 올라간다는 걸 의미적으로 이해는 안되네요...

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