반도체내의 전자는 원자핵의 포텐셜 영향을 받는데

이때 수십억개의 원자에 대한 영향을 모두 고려하기에는 너무 힘들어서 간단하게 계산하기 위해서

유효질량을 도입하는걸로 알고있습니다

분명히 포텐셜 영향을 받기때문에 저는 유효질량은 진공에서의 전자질량보다 커야된다고 생각하는데

문헌값들을 보면 전자질량보다 유효전자질량이 더 작습니다.

즉 이말은 같은전기장을 걸었을때 반도체내의 전자의 속도가 진공에서의 자유전자 속도보다 빠르다는 얘기입

니다... 자유전자는 아무런 영향을 받지 않고 반도체내의 전자는 원자핵의 방해를 받는데 왜 이런 결과가 나

온것인가요?

아래링크는

네이버 검색을해서 이와 비슷한 질문을 찾았으나 정확히 무슨말인지도 모르겠고...이해도 잘안갑니다...

http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=55515347&qb=7Jyg7Zqo7KeI65+JIOyekOycoOyghOyekCDsho3rj4Q=&enc=utf8§ion=kin&rank=2&sort=0&spq=0&pid=f8EFQwoi5UNssuTin88sss--178072&sid=S8k9UtYlyUsAAF6ENhk