평면 NAND 플래시의 한계에 도전하는 삼성 14nm 칩

(요약입니다)

삼성은 14nm 128Gbit 의 MLC NAND 메모리를 ISSCC 2016 에서 발표

평면 (Planar) 형은 2차원으로 고집적한 구조를 말하며, 메모리 셀을 수직으로 쌓아올린 3D NAND 이전까진 전부 Planar 형.

이미 10nm 이하로의 미세공정화는 더 이상 불가능하다고 여겨왔던 planar NAND 라서 20nm 대까진 빠르게 공정을 개선해 왔지만

이후로는 점점 둔화되어왔다. 하지만 planar 라도 지금도 미세화 및 양산 노력을 하는 것은 의미가 있으며,

신기술인 3D NAND 에 모든 것을 거는 것은 위험부담이 크다.

삼성은 이미 3D NAND 128 Gbit 플래시 메모리 기술을 발표한 바 있었는데, 이번 발표로 여전히 planar 을 포기하지 않았음을 보여주었다.

15nm 이하에서는 planar TLC 를 제품화 할 수 없다.

20nm 까지는 TLC 제품의 발표가 많았지만 15nm 전후로는 대용량 TLC 시제품 발표가 없었다.

그 대신 더욱 고집적화한 MLC 가 이미 기존 TLC 의 면적당 저장용량을 앞선 상태.

이는 회로간 간섭 등으로 다양한 어려움이 있는 것으로 예상된다.

그 대신, 앞으로 나올 15nm 세대의 TLC 는 3D NAND 기술을 사용한 칩이 될 것이다.

2015 년 삼성이 발표한 128 Gbit 3D TLC NAND 는 14nm MLC 의 면적의 절반 이하이다.

따라서 14~10nm 세대에서는 모든 SSD 가 3D NAND 로 가지 않으며

MLC 는 여전히 planar 및 3D NAND 둘 다 출시될 가능성이 높은 반면, TLC 는 3D NAND 의 독무대가 될 가능성이 높다.